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NiO纳米线和ATO纳米粉的制备及表征

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毕业论文范文题目：NiO纳米线和ATO纳米粉的制备及表征，论文范文关键词：NiO纳米线和ATO纳米粉的制备及表征
NiO纳米线和ATO纳米粉的制备及表征毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：纳米NiO被广泛的应用于催化剂、电池电极、气体传感器和磁性材料等方面。根据国内外的研究报道,介绍了纳米NiO粉体的制备方法及应用现状。制备纳米NiO的方法很多,选择工艺简单、成本低廉、易于实现工业化的制备方法及科学合理的工艺参数非常重要。本文用液相化学沉淀法以不同的镍盐与不同的沉淀剂制备纳米NiO。ATO是一种重要的透明导电材料,纳米透明导电材料的制备及应用研究（本文此处忽略..）在国外特别是美国、日本很受重视,目前已经进入生产阶段。而我国在这方面的研究才刚刚起步,产品主要依靠进口。本试验目的是提高产品性能,替代进口。ATO粉体的制备只局限于固相法以及以液相化学共沉淀法。固相法反应的温度高,粉体的掺杂不均匀、粒度大、易引入杂质。溶胶凝胶法由于要采用金属的有机醇盐为原料,因而成本比较高。因此,探索ATO粉体新的合成途径很有意义。1.采用氯化镍（此处忽略..）和硫酸镍为镍盐,分别与沉淀剂碳酸钠、氢氧化钠、草酸和氨水进行交叉实验,采用单相沉淀法制备了不同形貌纳米NiO。采用DSC/TG研究了前驱体粉末的热分解过程,并采用XRD和SEM对热分解产物的组成及形貌进行表征。DSC/TG结果表明,400℃下前驱体完全分解。XRD结果表明,其衍射峰位置分别为37.3°、43.3°和62.9°,与标准图谱一致,NiO为立方晶体结构。SEM结果表明:以硫酸（文章此处忽略..）镍为镍盐、草酸和氨水为沉淀剂,用单相沉淀法制备纳米NiO效果最佳。在此方案下通过条件实验确定了单相沉淀法制备纤维状纳米NiO的最佳工艺条件:溶液pH值为8.4,反应温度60℃,Ni~(2+)浓度为0.8mol/L,煅烧温度为400℃。在最佳条件下制得轴径比大于20的NiO纳米线。2.以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为原料,采用醇盐水解法制备锑掺杂二氧化锡(ATO)纳米导电粉体,确定了最佳条件:锑（此处忽略..）掺杂浓度15%(摩尔分数),滴定终点pH=2,反应温度60℃,热处理温度600℃。在此条件下制备出纳米ATO粉采用XRD和TEM进行表征。XRD结果表明,Sb离子完全取代Sn离子进入SnO_2晶格。TEM结果表明所得ATO纳米粉体平均尺寸为5nm,粉体体积电阻率达到最低,为141Ω·cm。

以上为本篇毕业论文范文NiO纳米线和ATO纳米粉的制备及表征的介绍部分。

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