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CdS薄膜的水浴法制备及表征

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毕业论文范文题目：CdS薄膜的水浴法制备及表征，论文范文关键词：CdS薄膜的水浴法制备及表征
CdS薄膜的水浴法制备及表征毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：薄膜太阳能电池作为一种新的能源材料正在得到敏捷的发展跟进步,CdS多晶薄膜太阳能电池因为存在本钱低廉、机能牢固、工艺简单等特点受到了广泛器重。其中,CdS薄膜既作为CuInGaSe多晶薄膜太阳能电池p-n结的n型材料,也作为电池的窗口层,其品质直接影响薄膜的制备,更重要的是影响电池（此处忽略..）的光电转换效力及其寿命。本文采取化学水浴法沉积CdS薄膜,探讨了成膜溶液的温度、pH值、反应物浓度(包含硫脲及硫酸镉浓度)等前提对CdS薄膜品质的影响,并对薄膜进行不同前提的热处理,侧重研究低温下CdS薄膜的制备。经XRD、SEM、霍尔效应测试等多种分析方法对退火前后样品的形貌、构造跟（此处忽略..）机能进行了分析,得到以下成果:经过后期退火处理后,薄膜的机能有所改变。退火后,CdS薄膜的晶体构造不会改变,透过率由80%降落至70%左右,禁带宽度由2.70eV降落到2.55eV左右,薄膜名义形貌均匀、致密,晶粒颗粒呈圆形,薄膜透过率降落。经CdCl2退火处理后的CdS薄膜的掺杂浓度升高,透过率曲线在禁带（略..）宽度附近得到了明显的改良。由XRD分析可能断定CdS薄膜沿着(111)方向高度择优取相,属于破方相构造,退火处理不会改变晶体构造,阐明CdS薄膜部分重结晶,并未产生相变。在沉积CdS薄膜的过程中,沉积时光超过30分钟时,硫化镉薄膜厚度不再产生变更。在沉积时光为24分钟时,CdS薄膜厚度达到最大156nm,（此处忽略..）此后膜厚将不会改变。当沉积温度为75℃;PH值为9.381;CdSO4浓度是0.004mol/L、硫脲浓度是0.10mol/L、NH4Cl浓度是0.04mol/L时,得到均匀、致密、附着力较强、光电特点良好的CdS薄膜。

以上为本篇毕业论文范文CdS薄膜的水浴法制备及表征的介绍部分。

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