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晶体管热谱学的基本研究

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毕业论文范文题目：晶体管热谱学的基本研究，论文范文关键词：晶体管热谱学的基本研究
晶体管热谱学的基本研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：坚固性分析技巧是20世纪50年代发展起来的一门综合性技巧,到了20世纪70年代已经步入成熟的阶段。当初,伴随IT时代的到来,微电子器件的复杂程度始终增加,利用环境日益残酷,及其在电力体系中的地位不可调换的起因,微电子器件的坚固性分析越来越受到人们的器重。对高压直流送电、高速列车跟电动汽车、相控阵雷达、半导体激光器等等电力体系中的功率半导体器件来说他们,在耗散功率时,结温分布个别是不均匀的。器件发热均匀性跟温度分布的均匀性、以及芯片峰值结温TP的高低是衡量器件热电机能优劣的重要因素,是影响其牢固性、坚固性乃至寿命的基本因素,对整机的机能以及体系的寿命都有不可忽视甚至决定性的影响,因此功率半导体器件温度的坚固性分析,对公民经济的发展,及其在航空、军事等很多范畴的重要性越来越不可动摇。当前,测量微电子器件温度（文章此处忽略..）分布最正确的方法是红外热像法,但这种方法的毛病明显：一、红外热像仪价格昂贵；二、该方法个别利用于半成品器件的坚固性分析,对暗箱式封装成品器件的测量则须要解剖后再拍摄红外热像图,因此这种测量是破坏性的,甚至有的是破坏了也不能测量；三、利用红外热像法获得的器件的热像图来进行坚固性分析没能专门针对器件的有源区作出相应的定性跟定量的分析。所以红外热像法不能用作惯例测量。电学方法既可能测量成品器件,又可能测量半成品器件,其对器件的测量长短破坏性,无伤害的,因此被广泛采取为技巧标准方法,国际电工委员会IEC标准里采取的测量晶体管温度的电学方法,简称为标准电学方法(StandardElectricalMethod),标准电学方法的可操作性好,便利易行,比较跟断定被测器件的差别非常简单,只有比较热阻值的大小（文章此处忽略..）就可能了,所甚至今风行于世。然而,标准电学方法的毛病也是是不言而喻的：抹煞跟粉饰了结温分布的不均匀性,有时轻易呈现误判跟漏判的情况。本文研究的核心内容—晶体管热谱分析方法是一种利用纯电学方法探测芯片温度分布的方法,它持续了电学方法测量温度的上风,对器件的测量长短破坏性、无伤害的,既可能测量半成品也可能测量成品器件；同时它又具备了红外热像法的关键长处,可能获取器件的峰值结温、温度分布的不均匀性跟不均匀度信息。热谱分析方法,通过测量器件有源区的相干参数,结合绝对应的数理模型打算出器件的温度分布,给出结温值跟有效面积,可能很好的反应器件的有源区温度分布情况。该方法有望解决多少十年来始终困扰世界的科学困难,使得纯电学方法探测器件温度分布成为可能,对微电子器件温度坚固性分析存在非常重大的意思跟价值（此处忽略..）。第一章绪论,指明了红外热像法跟标准电学方法用来进行微电子器件坚固性分析的不足,具体阐明国际电工委(IEC)发布的世界各国广泛采取的标准电学方法本身存在且无奈克服的问题。介绍了纯电学方法探测微电子器件温度以及温度分布均匀性的研究背景跟当前研究的现状以及晶体管热谱分析方法获得的进展。第二章“PN结器件V-I-T本底数据的测量与拟合校验”,翻新了本底数据的测量方法；利用肖克来修改函数拟合本底数据使本底数占领了质的奔腾；同时发明,单对数坐标系里(?)V/(?)lnI随电流的增大而增大的法则,此法则是PN结I-V特点的实在反应。第三章“PN结小电流攀峰效应”,本章中冲破原有的研究程度,采取新的实验样品,用纯粹的实验手段再次证明小电流过趋热效应是确切存在的科学法则；同时,对小电流过趋热效应有了更加深刻的意识,（略..）并且明白给出小电流攀峰效应的定义；小电流攀峰效应可能阐明“TS因Im的不同而不同,小电流测算出的结温高,大电流测算出的结温低”的景象；小电流攀峰效应答半导体器件坚固性分析存在重要的作用跟意思。第四章“基于子管并联模型的热谱分析”本文翻新性的根据子管并联模型,把PN结器件加载工作时结温分布不均匀的客观情况用模型的方法加以重现,并用热谱分析方法对温度分布不均匀情况下的I-V数据进行热谱分析；比较热谱分析的成果、标准电学方法分析成果及Pt100测量成果,测验了热谱分析软件,同时指出热谱分析方法分析得到结温及有效面积AE的科学性跟实用性。第五章对全部研究生阶段的科研工作跟成绩进行了总结,瞻望了热谱分析方的前景跟将来发展趋势,并对当前研发工作提出了多少点内容请求。

以上为本篇毕业论文范文晶体管热谱学的基本研究的介绍部分。

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