金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析

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金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析

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毕业论文范文题目：金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析，论文范文关键词：金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析
金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：近年来,准一维纳米材料由于其新颖的物理、化学性质以及在许多领域所展示的潜在的重要应用前景已成为当今纳米材料的前沿和热点。氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带隙(3.37eV)半导体材料,它的激子束缚能高达60meV,因此ZnO具有很大的应用潜力。本文采用低温加热前驱物（文章此处忽略..）的方法制备了准一维纳米ZnO,并通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电镜(HRTEM)等分析测试手段,对所制得产物的形貌、成分、结构以及物性进行了研究,探索了快速大批量生成ZnO“纳米草”的新方法,并且详细地探讨了它的生长机理。用乙酸锌与聚乙烯（文章此处忽略..）醇的混合溶液作为前驱物,用600℃热处理1小时的锌片作为衬底,经600℃热处理1个小时,可以得到厚度约为30-50nm,长度达几个微米的ZnO纳米带,其顶端为尖状,可称之为“纳米草”。ZnO纳米带为六方纤锌矿结构结构。聚乙烯醇对形貌有重要影响,它起到了配位络合和空间限域的（文章此处忽略..）作用,同时本文还研究了混合溶液质量配比以及衬底和升温机制对ZnO纳米带形貌的影响。高分辨透射电子显微镜图像表明,ZnO纳米带是完整性较好的单晶。此外,所制备的ZnO纳米带表现出了良好的力学性能和光学性能。AFM图像显示ZnO纳米带显示了很好的韧性;（此处忽略..）在对ZnO纳米带的光致发光性能中观察到了在波长约为540nm处的绿光发射峰,这与ZnO中氧空位或锌填隙等结构缺陷的产生相关。这些都为ZnO纳米带在微机电系统领域和光学领域的应用提供了条件。

以上为本篇毕业论文范文金属氧化物半导体纳米材料的制备与特性分析的介绍部分。

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