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TiO_2/窄带隙半导体复合薄膜的制备及其光电性质研究

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毕业论文范文题目:TiO_2/窄带隙半导体复合薄膜的制备及其光电性质研究,论文范文关键词:TiO_2/窄带隙半导体复合薄膜的制备及其光电性质研究
TiO_2/窄带隙半导体复合薄膜的制备及其光电性质研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:TiO_2作为精良的半导体材料在分解水、传感器、光催化、敏化电池等方面有广泛的利用,其中敏化电池因其可能直接将光能转换成电能而备受关注。在敏化电池的研究过程中人们发明:1.阳极材料的名义/界面态对电荷传输性质有重要的影响;2.有机染料对光的敏感性、吸光范畴、本钱等限度了其在更广泛范畴的利用。研究者发明一维阵列构造的如纳米线、纳米棒等对电荷传输机能有明显的晋升作用,而采取窄带隙半导体材料充当敏化剂更有利于实现对(本文此处忽略..)敏化剂的调控,并且有吸光系数大,本钱低等长处。对此,咱们制备了TiO_2纳米棒阵列构造,并尝试采取窄带隙无机半导体CdS、CuInSe_2等充当敏化剂进行复合,重要发展了以下三个方面的工作:(1)采取水热反应的方法分辨在有/无种子层的个别玻璃基底、有/无种子层的FTO玻璃上制备了阵列构造。采取SEM、XRD对其形貌跟构造进行了具体的表征,成果发明因为FTO上的SnO_2跟TiO_2的晶格匹配关联,对阵列构造的形貌有着(本文此处忽略..)极大的调控作用,有利于阵列的取向成长;通过紫外-可见接收、名义光电压谱仪等对其光电性质进行了具体表征。成果表明因为种子层与FTO名义的晶格匹配可能改良二者的接触,对界面态起到极大的改良作用。(2)在制备了TiO_2纳米棒阵列构造的基本上利用化学浴制备了CdS量子点/TiO_2复合薄膜构造。通过SEM、TEM、EDS对其成分、构造以及形貌进行了表征,成果发明量子点较为周到的包抄在纳米棒名义。紫外-可见反射光谱、稳态(文章此处忽略..)光电压谱仪与波长分辨为355nm跟532nm的脉冲激光作用下的瞬态光电压谱仪具体考察了不同量子点厚度的光电行动。通过分析发明,厚度为90nm左右的量子点已经达到对接收的最大值,并且在可见光区内的光电压响应也达到最大值。因为量子点名义态对电子的俘获造成电子在CdS名义的积聚,积聚的电荷一方面为内层电子的注入提供驱能源,另一方面也降落了外层电子传输速率,造成载流子的丧失。(3)在制备了TiO_2纳米棒阵列构造的基本上摸索用电沉积方(本文此处忽略..)法制备Cu、In、Se化合物/TiO_2复合薄膜的前提,为下一步电沉积CuInSe_2/TiO_2复合构造的制备打下了必定的基本。在实验中咱们发明在阴极附近析出的氢气对离子沉积的妨碍作用非常大,析出氢气较多的情况下,妨碍了溶液离子进一步向纳米棒之间的空间扩散,从而妨碍了反应的进一步进行。而因为析出氢气,制备的薄膜品质降落,并因此降落了电荷分别效力。


以上为本篇毕业论文范文TiO_2/窄带隙半导体复合薄膜的制备及其光电性质研究的介绍部分。
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