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射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)制备高品质ZnO薄膜研究

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毕业论文范文题目:射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)制备高品质ZnO薄膜研究,论文范文关键词:射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)制备高品质ZnO薄膜研究
射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)制备高品质ZnO薄膜研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:本文的工作重要是利用射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)体系研究如何在大失配的蓝宝石(0001)衬底上制备出高品质的ZnO单晶外延薄膜。研究发明,用以下三个打算可能在蓝宝石(0001)衬底上制备出高品质的ZnO单晶外延薄膜。1.对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后,沉积一层很薄的金属Ga浸润层对衬底原子构造进行修改,而后在该浸涧层上外延ZnO薄膜。实验发明(略..),Ga薄层的引入完全克制了导致ZnO薄膜品质降落的旋转畴跟倒反畴的构成。反射式高能电子衍射(RHEED)原位察看以及高辨别X射线衍射(HRXRD)、透射式电子显微法(TEM)跟汇聚束电子衍射(CBED)测试表明,该薄膜存在很高的晶体品质跟单一Zn极性。本文具体探讨了Ga浸润层在ZnO薄膜的极性抉择以及缺点密度的减少等方面所起的作用,并通过一个双层G(文章此处忽略..)a原子模型分析了单一Zn极性成长的机理。2.对蓝宝石(0001)衬底进行O等离子体预处理之后,先成长MgO缓冲层,再成长ZnO薄膜。RHEED原位察看跟HRXRD测试表明不旋转畴的存在,该薄膜为单一O极性。本文具体探讨了MgO缓冲层在进步ZnO外延薄膜品质以及极性抉择等方面所起的作用。3.对蓝宝石(0001)衬底进行N化后,在蓝宝石名义生成一AIN薄层之后外延(文章此处忽略..)ZnO薄膜。AIN薄层的构成可能从清楚的RHEED图案得到证明。AIN薄层对ZnO在蓝宝石上的外延起到了重要的作用,晶格失配由18.4%(ZnO(0001)跟蓝宝石(0001)之间)降到4.5%(ZnO(0001)跟AIN(0001)之间)。在AIN薄层跟ZnO薄膜中都不旋转畴的存在,而且,衬底N化工艺还可能把持薄膜的极性。最后,本文也探讨了AIN薄层在高品质ZnO薄膜外延中所起的作用。总之,咱们(此处忽略..)已经发展了三个在蓝宝石(0001)衬底上制备高品质的ZnO薄膜的工艺技巧,也研究了衬底名义修改跟缓冲层对旋转畴跟倒反畴的克制造用,为ZnO基光电子器件的研制奠定了坚实的基本。


以上为本篇毕业论文范文射频等离子体帮助分子束外延(rf-MBE)制备高品质ZnO薄膜研究的介绍部分。
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