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C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错多少率的影响跟微构造的HREM表征

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毕业论文范文题目:C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错多少率的影响跟微构造的HREM表征,论文范文关键词:C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错多少率的影响跟微构造的HREM表征
C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错多少率的影响跟微构造的HREM表征毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:Fe-Mn-Si基外形记忆合金因为其低廉的价格跟良好的加工机能,存在广阔的利用前景,近年来始终是外形记忆合金研究的热点。其外形记忆效应重要依附fcc→hcp的马氏体相变及逆相变来实现,研究表明该马氏体相变通过奥氏体母相中的层错形核、并增值长大,因此Fe-Mn-Si合金外形记忆效应的改良重要缭绕马氏体相变及其逆相变来发展,如热弹性马氏体的获得,改变热处理工艺引入所谓的‘热机械练习’,增加合金元素(本文此处忽略..)等。C、N缝隙元素的增加对层错多少率跟外形记忆效应的影响已有很多学者从实际跟实验长进行了研究,然而并不定论。为了进一步研究C、N元素的作用机理,以及层错多少率跟外形记忆效应之间的关联,本文通过XRD峰宽化、峰位移法以及电子衍射斑点位移法对Fe-Mn-Si合金中的层错多少率进行了测定,分析了C、N元素对层错多少率跟外形记忆效应的影响;并用高辨别电镜(HREM)对奥氏体中的层错跟界面进行了表征。实验过(本文此处忽略..)程中,发明了Fe-Mn-Si合金中的长周期构造,与Ni-Mn-Ga合金中的长周期构造,并对两者进行了分析跟比较。在XRD的峰宽化法实验中,采取Jade软件修改的工具线宽代替Al标样估计的工具线宽来打算复合层错多少率Psf;并对XRD峰位移法的误差进行了简单探讨。发明了在Fe-Mn-Si外形记忆合金奥氏体中层错的密集重叠,同样可能引起电子衍射斑点的位移,并对局域层错多少率进行了测定。对比XRD方(此处忽略..)法测得均匀层错多少率与电子衍射斑点位移法测得局域层错多少率,发明两者相差两个数量级,表明层错在材料内部分布的不均匀性,也为层错形核的马氏体相变机理提供了支撑。经分析外形记忆效应的测试成果跟对应的层错多少率后,发明两者之间并不对应的函数关联,可能因为层错多少率的测试成果不够正确,还须要改进。而随合金中C含量的增加,层错多少率先增加后减少,在约为0.1%时达到峰值,在含量为0.3%时,层错多少率不再明显变更。(略..)将C%+N%与外形记忆效应的回复率作图显示,随C、N元素的参加,使得外形记忆效应线性递减。介绍了HREM表征的基本方法,并对Fe-Mn-Si中的层错跟极薄片的ε马氏体进行了表征,发明了因为层错在奥氏体相(111)面周期性的呈现而构成的长周期构造,这种构造为ABCABABCAB……。此外,在对Ni-Mn-Ga微观构造表征的过程中发明了二维的周期构造,并对其进行了初步的分析。


以上为本篇毕业论文范文C、N元素对Fe-Mn-Si合金层错多少率的影响跟微构造的HREM表征的介绍部分。
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