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基于65nm工艺的256Bit eFuse设计

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毕业论文范文题目：基于65nm工艺的256Bit eFuse设计，论文范文关键词：基于65nm工艺的256Bit eFuse设计
基于65nm工艺的256Bit eFuse设计毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：本文参阅了大量的相干文献,研究了eFuse(electricallyprogrammableFuse电可编程熔丝)的发展状况跟基本原理,基于SMIC的65nm低漏电工艺,设计了次序存取(进步后出)256bit的eFus（此处忽略..）e。eFuse技巧是利用金属电迁徙景象发展起来的一种技巧,它能跟CMOS工艺技巧兼容,面积小。重要用做履行冗余,现场修复芯片,对芯片从新编程,使电子产品变得更加智能化。多晶硅熔丝是eFuse技巧的基本（略..）元件,它的机能不仅跟材料有关,而且跟工艺掺杂、温度系数以及编程环境有密切的关联,文章结合工程实际研究了这些参数对多晶硅熔丝的影响,探讨了如何实现高坚固性的多晶硅熔丝。并且,针对65nm工艺中NBTI(Neg（此处忽略..）ativeBiasTemperatureInstability负温度偏置不牢固效应)的影响提出了一种新的实现eFuse存储单元的方法,有效的降落了灵敏放大器的灵敏转折点的牢固,从而进一步进步了eFuse（文章此处忽略..）的坚固性。同时,在版图设计过程中增加了进步工艺中不可缺乏的设计——DFM(可制造性设计),进步了产品的良率、减小了出产周期并且降落了本钱。最后,流片测试表明该设计机能良好。

以上为本篇毕业论文范文基于65nm工艺的256Bit eFuse设计的介绍部分。

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