热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究

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热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究

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毕业论文范文题目：热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究，论文范文关键词：热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究
热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：本文以HWCVD法制备微晶硅薄膜为重要研究内容,利用X射线衍射谱、透射光谱、扫描电子显微镜、霍尔效应、伏安特点曲线跟阻抗谱曲线对样品进行深刻过细地分析,探讨工艺参数对微晶硅薄膜构造特点及电学特点的影响,包含:沉积气压对微晶硅薄膜光学带隙的影响、晶化前提对微晶硅薄膜晶粒尺寸（略..）的影响、硼掺杂浓度对微晶硅薄膜电学特点的影响,另外还研究了HIT构造中本征层的作用。研究成果表明:1.微晶硅薄膜的光学带隙跟着沉积气压的升高而单调降落。产生该法则的起因与不同沉积气压下各反应基元的碰撞多少率有关,沉积气压越大,基元产生碰撞的多少率越高,进而引起了不同的气相反（略..）应。不同的气相反应生成的基元会对微晶硅薄膜的成长结晶产生不同的后果。2.微晶硅薄膜的晶粒尺寸跟着退火时光跟温度的改变而产生变更:跟着退火温度的进步晶粒的尺寸逐步增大;退火时光短的样品晶粒尺寸较大。产生该法则的起因与微晶硅薄膜的薄膜厚度以及晶粒密度有关,当晶粒尺寸达到饱跟之后（略..）,进一步延长退火时光反而会使晶粒决裂。3.微晶硅薄膜的载流子迁徙率跟着掺杂比例的升高而单调降落,比例每增加一倍迁徙率都以一个数量级的幅度递减。分析探讨了会对微晶硅薄膜迁徙率产生影响的各种因素,得出晶粒尺寸越大迁徙率越高的论断。同时还发明掺杂气体的引入会对结晶产生克制造用。4.（此处忽略..）通过对HIT构造的制备及其伏安特点跟阻抗特点的测量跟分析,从构造特点跟电学特点两方面入手,阐明了本征层厚度对HIT构造的影响。研究表明,本征层对HIT异质构造的晶格常数匹配起到很好的过渡作用,同时其厚度会对HIT构造的等效电阻产生影响。本征层越厚,等效电阻越大。

以上为本篇毕业论文范文热丝化学气相沉积制备微晶硅薄膜的研究的介绍部分。

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