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Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究

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毕业论文范文题目:Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究,论文范文关键词:Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究
Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:二氧化锡(SnO2)是一种宽带隙半导体,其带隙约3.6eV且具有较高的激子束缚能130meV,室温稳定化学稳定性高,广泛应用在气敏元件、太阳能电池及电极等材料中,是一种用途十分广泛的特种功能薄膜。为了获得透明度高、发光性能优异以及电阻率小的透明导电光致发光薄膜,本论文以无机金属盐SnCl2·2H2O、SbCl3和CoCl2-6H2O为原料,采用溶胶凝胶法在玻璃基片上分别制备和获得了SnO2多层薄(略..)膜。采用X射线衍射仪、原子力显微镜对这些薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,利用紫外可见分光光度计、荧光分光光度计和四探针电阻测试仪分别对薄膜样品在紫外可见光区的透过率、薄膜的发光性能以及薄膜的方块电阻进行测试,根据测试的结果分析和讨论了热处理温度和掺杂浓度等不同参数对SnO2及其掺杂薄膜结构、发光性能及电学性能的影响。研究结果表明:1.采用溶胶-凝胶法制备出的SnO(此处忽略..)2薄膜的和掺杂的SnO2薄膜样品微晶都为四方金红石结构。提高热处温度促进了晶粒的发育,有助于薄膜晶粒结晶度的提高。Sb掺杂量15%时,薄膜具有较好的结晶性能。Co掺杂的SnO2薄膜,Co掺杂为2%时,薄膜结晶最好。过多的掺杂(Sb掺杂20%、Co掺杂3.0%)会破坏薄膜的晶体结构;对于SnO2薄膜,薄膜的透过率、光致发光强度以及方块电阻随热处理温度的升高先提高后降低;对于掺杂的Sn02薄膜,随掺杂浓度(本文此处忽略..)的增加,薄膜的透过率,光致发光强度以及方块电阻随掺杂浓度的增加先升高后降低。2.当热处理温度为550℃时,SnO2薄膜样品结构最完整,550nm处透过率达到了89%,光致发光最强峰相对强度达到了167.9,方块电阻最低为2703Ω/□;当Sb掺杂量为15%时,550nm处薄膜透过率达到了最高91%,光致发光最强峰相对强度达到了201.1,方块电阻达到最低119Ω/□;当Co掺杂量为2%时,薄膜的结构完整,550nm处的透过率达到了90%;光致发光最(此处忽略..)强峰位相对强度达到了160.1,方块电阻最低876Ω/□。3.将Sb和Co掺杂的SnO2薄膜的光电性能进行比较得出:Sb掺杂的SnO2薄膜的的透过率、光致发光性能以及导电性能都优于Co掺杂的SnO2薄膜。


以上为本篇毕业论文范文Sb、Co掺杂SnO_2薄膜的制备与光电性能研究的介绍部分。
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