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有机发光二极管的界面及高性能蓝光二极管

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毕业论文范文题目:有机发光二极管的界面及高性能蓝光二极管,论文范文关键词:有机发光二极管的界面及高性能蓝光二极管
有机发光二极管的界面及高性能蓝光二极管毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:有机电致发光器件Organiclight-emittingDevices(OLED)发展至今已有二十余年,其质量轻、厚度薄、自发光、响应速度快、可弯曲等特点吸引着众多科研人员。稳定性和效率是其面临的两大主要问题,阻碍着OLED的产业化进程。本文主要以有机电致发光二极管为研究对象,从发光的过程机理出发,重点研究了界面对器件性能的影响。本文综述了有机电致发光器件中界面修饰的机理模型,首先引用了经典的无机半导体理论,总结了(此处忽略..)隧穿模型,能带弯曲理论,以及界面偶极子的形成。更细致地,从界面相互作用力的角度出发总结了各种界面理论模型,往往一种界面情况同时涵盖着几种效应,虽然没有一种理论能够涵盖所有的界面情况,但是随着研究手段的不断更新和发展,人们对界面机理的理解也会更加深入,相信在不久的将来界面理论也将趋于完善。本文设计和制备了以氧化石墨烯(Grapheneoxide,GO)为界面修饰材料的OLEDs和PLEDs器件。在MEH-PPV为发光材(此处忽略..)料的PLEDs中,发现GO可以作为空穴传输材料和电子阻挡层。以GO作为阳极修饰的器件,其性能可以与PEDOT:PSS器件相比。这种廉价,制备简单的材料有望能替代PEDOT:PSS作为新一代绿色的阳极修饰材料。在小分子器件中,GO作为阳极修饰层并未改善器件的性能。这可能跟材料的迁移率有关,小分子的迁移率要远高于聚合物和GO,因此GO的空穴传输作用在PLEDs中相对更明显。以哑铃状的DSFXPy为蓝光主体材料,制备了(此处忽略..)一系列非掺杂的蓝光器件。其中,结构为ITO/MoO_x(2nm)/m-MTDATA(20nm)/NPB(10nm)/SFX-Py-SFX(30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al的器件获得了比较好的器件性能,在6V和亮度~260cdm~(-2)下得到最大电流效率7.4cd/A,在~200cdm~(-2)的亮度下得到功率效率为4.1lm/W,外量子效率高达4.6%(亮度为260cdm~(-2)时)。亮度6500cd/m~2下的CIE坐标是(0.16,0.15)超过了大部分非掺杂蓝光器件。最后在简单结构的器件中ITO/MoO(略..)_x(2nm)/NPB(30nm)/SFX-Py-SFX(30nm)/TPBi(40nm)/LiF(1nm)/Al得到了更加稳定的光谱和不错的器件效率5.5cd/A,CIE坐标为(0.17,0.17±0.01)。相信,通过进一步改进器件的设计方案,应该可以得到更加出色的蓝光。


以上为本篇毕业论文范文有机发光二极管的界面及高性能蓝光二极管的介绍部分。
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