宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究

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宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究

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毕业论文范文题目：宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究，论文范文关键词：宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究
宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：纳米TiO2材料由于其优良的光电等方面的性能,已被广泛地应用于光电转换、电致变色窗、太阳能电池、光催化等领域。ZnS是一种过渡金属硫化物,是一种重要的化工原料、发光材料和半导体材料,纳米ZnS因其特殊的性能,在发光、磷光体、传感器、红外窗材料、光催化（文章此处忽略..）等许多领域有着广泛的用途,因此关于纳米ZnS的研究引起了许多人的注意。而这些性能的优劣在很大程度上受到制备方法、后处理工艺等情况的影响,因此本文从制备工艺的角度出发探索不同条件所带来的性能变化。(1)TiO2纳米薄膜的制备及性能表征在纳米二氧化钛薄膜的室温（本文此处忽略..）制备与研究中,用钛酸四正丁酯为前驱体,浓硝酸作为稳定剂和催化剂,无水乙醇作为溶剂和分散剂,室温下采用溶胶-凝胶提拉法在石英基板上制备了厚度为40~340nm均匀、致密的纳米薄膜。用场发射扫描电镜和原子力显微镜研究了薄膜的表面形貌,X射线衍射和拉曼光谱分析了晶（略..）型,最后用光致发光谱讨论了不同厚度影响下的发光强度。(2)两步水热法合成ZnS纳米材料及其光学性能ZnS是一种宽直接带隙半导体材料,有着优良的光学性能,在显示器、传感器、激光和催化等领域中有着广泛的应用。本文采用一种新的合成方法,即两步水热合成法。从XR（此处忽略..）D和拉曼谱图可以得出,控制第二步的反应时间可以得到硫掺杂的ZnO和氧被大部分取代的ZnS纳米材料,并给出了这种转变的生长机制。光学研究发现ZnS发光主要是由于缺陷引起的,将硫引入后光致发光强度明显增强,峰位发生变化。

以上为本篇毕业论文范文宽禁带纳米半导体材料制备及其光学性能研究的介绍部分。

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