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氧化物掺杂Ce_(0.9)RE_(0.1)O_(2-δ)(RE=Sm,Gd)陶瓷材

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毕业论文范文题目:氧化物掺杂Ce_(0.9)RE_(0.1)O_(2-δ)(RE=Sm,Gd)陶瓷材,论文范文关键词:氧化物掺杂Ce_(0.9)RE_(0.1)O_(2-δ)(RE=Sm,Gd)陶瓷材
氧化物掺杂Ce_(0.9)RE_(0.1)O_(2-δ)(RE=Sm,Gd)陶瓷材毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:固体氧化物燃料电池的电解质主要是氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)。基于YSZ相对有限的氧离子传导性,要求其运行温度高达900℃,这不但增加了制造费用,并且加速了燃料电池系统的老化。由于掺杂CeO2基电解质的高离子传导性和低电导激活能,被认为是最有前途的中温固体氧化物(IT-SOFC)电解质材料。以CeO2为基体,采用不同的正离子(如Ca2+、Sr2+、Y3+、La3+、Nd3+、Gd3+和Sm3+)进行不同的浓度掺杂,可改善材料的电性能。SiO2是陶瓷材料中一种最普遍的存在(此处忽略..)的基本杂质,即使在纯度较高的材料中也难以排出。烧结时SiO2通常偏聚到晶界上,阻塞晶界的移动或扩散,增大晶界电阻,降低多晶电解质材料的电导率。因此,添加晶界杂质清除剂来降低由阻化硅酸膜引起的晶界电阻,进而提高晶界电导率成为近年来研究的重点。在CeO2基固体电解质中添加Co2O3、Fe2O3或Al2O3均能较好的清除材料中的杂质SiO2,提高晶界电导率。本论文以高纯的CeO2为研究体系,人为地加入一定量的SiO2,分别讨论氧化物(MgO,ZnO)的不同掺杂量对(略..)CeO2基电解质微观结构与电性能的影响及其对体系烧结温度、晶界杂质清除效果的影响。重点讨论MgO,ZnO的加入对CeO2基电解质材料晶界结构及电性能的影响,进而确定最佳的掺杂量和最佳的烧结温度。(1)采用溶胶-凝胶法合成SiO2含量为500x10-6的Ce0.9S00.1O2-δ粉体(SDCSi),并将0-3.0mol%MgO分别加入到SDCSi陶瓷粉体中,采用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗谱(AC)测试材料的电性能。研究表明,MgO的掺杂(此处忽略..)能使SDCSi的烧结温度降低100~200℃,提高陶瓷材料的致密度;清除或降低陶瓷材料晶界处SiO2杂质的有害影响,显著提高晶粒/晶界电导率和总电率;掺杂的MgO具有烧结助剂和晶界杂质清除剂的双重作用。(2)采用溶胶-凝胶法合成Si02含量为500×10-6的Ce0.9Gd0.1O2-δ粉体(GDCSi),并将0-3.0mol%ZnO分别加入到SDCSi陶瓷粉体中,用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗谱(AC)测试材料的电性能。在ZnO掺杂量范围内,烧结(本文此处忽略..)温度随着添加量的增加而下降,少量的ZnO掺杂可明显提高陶瓷的烧结密度,在掺杂量为1.0mol%时相对密度达到最大值,同时还发现ZnO掺杂可促进晶体的生长。ZnO作为清除剂在1400-1500℃间清除效果最好,可明显提高材料的晶界电导率。


以上为本篇毕业论文范文氧化物掺杂Ce_(0.9)RE_(0.1)O_(2-δ)(RE=Sm,Gd)陶瓷材的介绍部分。
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