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低功耗多孔硅气敏传感器性能研究

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毕业论文范文题目：低功耗多孔硅气敏传感器性能研究，论文范文关键词：低功耗多孔硅气敏传感器性能研究
低功耗多孔硅气敏传感器性能研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：随着气体作原料、燃料的情况增多,工业和日常生活向空气中排放的污染气体越来越多,种类也越来越多。这些污染气体(如氢气、氨气、氮氧化物、液化石油气等)大多是易燃易爆气体和有毒气体,危害性很大。人们已经广泛使用气敏元件对环境污染气体进行监控,以确保生命和生产安全。多孔硅是一种在硅基底（文章此处忽略..）上通过腐蚀形成的具有疏松结构的一种材料,在光学电学上的应用非常广泛,如用作牺牲层,绝热层光吸收材料和气湿敏材料等。因为其原料储备大,制作工艺简单,具有大的比表面积,所以是一种很有潜力的气敏材料。多孔硅材料作为气敏薄膜的工作,利用表面吸附空气中的阳离子增加表面活性,在检测氧化（略..）性和还原性气体时,分别进行反应,引起了多孔硅电阻值变化。通过双槽电化学腐蚀法生长多孔硅气敏薄膜,在其表面通过磁控溅射法沉积金属薄膜电极,形成基本的器件结构。通过不同电流密度和电极的选取,得到不同孔隙结构参数的多孔硅样品,对样品进行了孔隙率、SEM、I-V特性等各种测试,分析（略..）了多孔硅的材料参数、微观形貌和电学特性等。用静态分析法对一定浓度的NH3、C2H5OH和NO2进行了气敏特性测试。研究结果表明,Pt电极相对Cu电极有良好的电学接触。孔隙率71.14%,腐蚀深度56.7μm的多孔硅薄膜对NH3(浓度10ppm)灵敏度最好,达到3.09;孔隙率76.8%,腐蚀深度72.5μm的多孔硅薄膜对C2H5O（文章此处忽略..）H(浓度100ppm)灵敏度最好,为2.5。在0.8ppm的NO2中,孔隙率80.74%、腐蚀深度75.5μm的薄膜灵敏度达到3.45,且对NO2响应恢复时间较短,器件功耗较低,是一种理想的NO2气敏传感器件。

以上为本篇毕业论文范文低功耗多孔硅气敏传感器性能研究的介绍部分。

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