电针对脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响

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电针对脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响

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电针对脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：目的：缺血性脑血管病，又名缺血性中风，属祖国医学中风病和卒中范畴，具有发病率高、病死率高、致残率高的“三高”特点，是脑血管疾病中最常见的一种临床类型，严重威胁着人类的健康和生命安全。脑组织对缺血特别敏感，缺血后，局部脑缺血中心缺血区很快会发生坏死，半暗带区神经功能丧失或基本丧失而神经细胞却依然存活。目前已经认识到，改善缺血区血供，挽救保护半暗带可逆的神经元，是改善缺血性脑血管病预后的关键。故治疗缺血性脑血管病的重要手段和目的之一，便是促进半暗带区脑组织的血管新生和侧枝血管形成，及时恢复其血液供应，营养神经细胞。血管再生的（此处忽略..）过程极其复杂，现有的科学研究表明，此过程受到促进因子及抑制因子的严格调控，两种因子的平衡或失平衡决定了血管的生长状态。其中，血管内皮生长因子(VEGF)被认为是作用最强、特异性最高的成血管因子；内皮抑素(ES)则被认为是迄今为止最有效的内源性血管生长抑制剂之一。因此，缺血再灌后脑组织中VEGF、ES的表达水平和含量，可作为反应血管新生状态的标志性指标。针灸是临床治疗缺血性脑血管病的有效手段，已有研究证实，针灸可促进脑缺血区血管新生，增加微血管密度，但其作用机制尚待进一步深入研究。本实验采用大鼠局灶性脑缺血再灌注模型，电针百会、水（略..）沟、足三里(双侧)穴，观察电针对脑缺血再灌注大鼠病灶侧(右侧)大脑皮质中VEGF、ES的影响，探讨电针促进脑缺血区血管新生的可能作用机制，从而进一步深入研究针灸治疗缺血性脑血管病的作用机制，为针灸临床治疗缺血性脑血管病提供一定的实验和理论依据。方法：健康成年SD大鼠100只，雌雄不拘，随机分为正常对照组、假手术组、模型组、电针组；其中，模型组、电针组分别按缺血再灌注后不同时间(1d、2d、4d、8d)，分为A、B、C、D四个亚组。采用改良线栓法制备大鼠局灶性脑缺血再灌注(MCAO)模型，参照Zea-Longa评分标准进行神经功能障碍评分，进行动物筛选（此处忽略..）。电针百会、水沟、足三里(双侧)穴，免疫组织化学(SABC)法检测大鼠寓灶侧(右侧)大脑皮质中VEGF、ES的表达。结果：1．正常对照组与假手术组VEGF、ES在脑内血管内皮细胞上均呈低表达；两组比较无明显差异(P＞0.05)。2．模型组与正常对照组、假手术组相比较，VEGF、ES表达明显增强，具有极显著性差异(P＜0.01)。3．伴随再灌注时间的延长，模型组与电针组各组别VEGF、ES表达均呈下降趋势。4．电针组与模型组相比较，VEGF表达增强，除电针C组与模型C组比较(P＞0.05)，无显著性差异外，其余各对应时相组相比较，均具有极显著性差异(P＜0.01)；ES表达明显减弱（略..），各对应时相组相比较，均具有极显著性差异(P＜0.01)。结论：1．一般的手术创伤对脑内血管内皮细胞VEGF及ES的表达无明显影响。2．缺血、缺氧是促使VEGF表达的重要因素，ES的表达增加可能与机体的保护性反应相关，防止血管的过度再生。3．脑缺血再灌注后1天可能为VEGF、ES表达的高峰。4．电针能促进脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮细胞VEGF的表达，抑制ES的表达，可能为电针促进脑梗塞大鼠缺血区血管新生的机制之一。

以上为本篇毕业论文范文电针对脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮生长因子及内皮抑素的影响的介绍部分。

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