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低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷

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毕业论文范文题目：低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷，论文范文关键词：低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷
低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：铌酸镁(Mg_4Nb_2O_9)体系微波介质陶瓷具有高品质因数和相对较低的介电常数等优良性能,有望成为取代氧化铝陶瓷的新一代高Q值基板材料。然而由于该陶瓷具有较高烧结温度(1400℃)和较大的负谐振频率温度系数(τ_f=-72ppm/℃),从而限制其进一步商业化应用。目前,微波介质陶瓷正朝着高频、低温烧结方向发展。因此,有必要对该体系陶瓷进行改性和开展低温烧结方面的研究。本文通过添加烧结助剂、元素取代来降低其烧结温度;采用两相复合来调节材料的微波介电性能。系统研究了烧结助剂及成分变化对Mg_4Nb_2O_9陶瓷烧结性能、相组成、显微组织和微波介电性能之间的关（本文此处忽略..）系。获得了以下几个方面的结果:(1)Mg_4Nb_2O_9陶瓷低温烧结的研究采用V_2O_5和Li_2CO_3复合掺杂,可以显著降低Mg_4Nb_2O_9陶瓷的烧结温度,在925℃可以实现致密烧结。差热分析显示在烧结过程中,有低熔点LiVO_3液相生成。一定量Li_2CO_3添加,有助于Mg_4Nb_2O_9单相的形成;随着Li_2CO_3含量的增加,X射线检测到了第二相Li_7Mg_3(NbO_3)_(13)。样品的介电常数(ε_τ)随Li_2CO_3含量的增加稍有增加,而其品质因数(Q·f)确有所降低,这与部分Li~+取代Mg~(2+)所造成的晶格缺陷及第二相的出现有关。1.5%V_2O_5与1.5%Li_2CO_3复合（本文此处忽略..）掺杂,925℃、5小时烧结,Mg_4Nb_2O_9陶瓷的介电常数g,为13.7,Q·f为78000GHz,并且可以与银(Ag)电极共烧。Mg_4Nb_2O_9陶瓷优良的微波介电性能及与银电极良好的化学兼容性,使其有望成为新一代低温共烧基板材料。(2)元素置换对Mg_4Nb_2O_9陶瓷微波介电性能的研究(a)Li~+离子取代Mg~(2+)离子、(Mg_(4-x)Li_x)(Nb_(2-0.08)V_(0.08)O_(9-σ)固溶体化合物,可以在较低的温度下(950℃)实现致密化烧结。差热分析未见明显的吸热反应,这表明其反应以固态反应为主,该化合物本身具有较低的烧结温度。X射线分析可知:在组分x值≤0.3的范围内形成了(Mg_(4-x)Li_x)(N（本文此处忽略..）b_(2-0.08)V_(0.08))O_(9-σ)连续固溶体,其晶胞参数随组分x的增加呈线形变化关系,这遵循一般Vegard's定律,这是由于Li~+和Mg~(2+)具有不同的离子半径;x大于0.3时,有Li_3Mg_2NbO_6杂相生成。950℃、5小时烧结,(Mg_(3.8)Li_(0.2))(Nb_(2-0.08)V_(0.08))O_(9-σ)陶瓷的介电常数ε,为12.7,Q·f为14000GHz。(b)T_a和V同时取代Nb,X射线分析可知:对于Mg_4(Ta_(1-x)V_x)_2O_9化合物,在x值≤0.2的范围内形成了Mg(Ta_(1-x)V_X)_2O_9连续固溶体;随着x值进一步增加,有第二相Mg(VO_4)_2生成。在烧结过程中,由于V_2O_5的挥发,扫描电镜(SEM（本文此处忽略..）)可观察到烧结陶瓷晶粒内部有气孔存在。最佳温度下烧结,其密度仅能达到理论密度

以上为本篇毕业论文范文低温烧结Mg_4Nb_2O_9微波介质陶瓷的介绍部分。

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