脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断

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脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断

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毕业论文范文题目：脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断，论文范文关键词：脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断
脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：由射频放电产生的低气压容性耦合等离子体已在微电机体系、集成电路制造等微细制造范畴中得到了广泛的利用。在射频放电中,对电压进行脉冲调制,使放电参数调节更加机动,可能进步等同离子体密度、电子温度等各种等离子体参数的把持,从而改变等离子体中的化学反应(气相)、颗粒尺寸以及离子对电极基地名义的轰击,进而优化等离子体过程,而这一过程直接影响着产业中PECVD的工艺参数以及刻蚀成果。在材料名义处理中,脉冲调制技巧可能解决持续射频放电中介质温度过高这一景象。此外,脉冲调制技巧还可能有效的降落持续射频放电中因为电场的存在而产生的噪音,从而保护了探针测量电路不受噪声烦扰。本论文工作（此处忽略..）利用脉冲调制射频等离子体源,采取PrincetonActon2500i型发射光谱仪为诊断手段,氩气放电中,标定了5条ArⅠ及Ar+谱线。研究了电子激发温度、谱线绝对强度随实验前提(功率、气压、脉冲调制频率、占空比)的变更趋势。成果如下：1、跟着功率的增大,电子激发温度先升高,后趋于不变；Ar+绝对强度趋于线性升高；2、跟着气压的升高,电子激发温度降落；Ar+绝对强度趋于线性升高；3、跟着随调制频率的增大,电子激发温度先升高后降落,峰值在20Hz左右,在占空比为70%时,即脉冲开启时光为35ms,封闭时光为15ms；Ar+绝对强度先缓缓升高后缓缓降落,再急剧升高,峰值呈当初20Hz左右,在占空比为70%时,即（此处忽略..）脉冲开启时光为35ms,脉冲封闭时光为15ms；4、随占空比的增大,电子激发温度略微升高；Ar+绝对强度先升高后降落,峰值呈当初占空比为80%左右,在调制频率为2KHz时,即脉冲开启时光约为0.4ms,封闭时光约为0.1ms。SiHH4、C2H4、Ar混淆气体放电中,标定了5条ArⅠ谱线及Ar+357.6nm、Si2+380.6nm、Si+518.1nm、C601.3nm、C+426.7nm五条谱线。研究了电子激发温度、谱线绝对强度随实验前提(功率、气压、脉冲调制频率、占空比)的变更。成果如下：1、跟着功率的增大,电子激发温度先升高而后逐步趋于不变,Ar+、Si2+、Si+、C、C+的绝对强度升高,且幅度逐步变小；2、随气压的升高,电子激发温度（略..）降落,Ar+、Si2+、Si+、C、C+的绝对强度先升高而后降落,峰值在60-70Pa之间；3、跟着调制频率的增大,电子激发温度先升高而后降落,峰值大概在20Hz左右,在占空比为70%时,即脉冲开启时光为35ms,封闭时光为15ms；Ar+绝对强度先升高后降落,峰值在2KHz左右,在占空比为70%时,即脉冲开启时光为0.35ms,封闭时光为0.15ms；Si2+、Si+绝对强度升高；而C、C+的绝对强度在较低调制频率范畴降落,在较高频率范畴回升。4、跟着占空比的增大,电子激发温度先升高而后降落,峰值呈当初占空比为50%左右,在调制频率为2KHz时,即脉冲开启时光为0.25ms,封闭时光为0.25ms；Ar+的绝对强度升高；Si2+、S（本文此处忽略..）i+、C、C+的绝对强度先升高而后降落,Si2+、C峰值呈当初90%,在2KHz时,即脉冲开启时光为0.45ms,封闭时光为0.05ms,Si+、C+峰值呈当初占空比为85%时,在2KHz时,即脉冲开启时光为0.425ms,脉冲封闭时光为0.075ms,其中Si2+、Si+的峰值比较尖利。总体上来说,混淆气体放电中的电子激发温度要高于纯氩气放电中。

以上为本篇毕业论文范文脉冲调制射频容性耦合SiH_4/C_2H_4/Ar放电的发射光谱诊断的介绍部分。

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