硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究

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硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究

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毕业论文范文题目：硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究，论文范文关键词：硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究
硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：SiGe/Si异质材料的利用越来越广泛,品质良好的SiGe薄膜成为其利用的基本。目前成长SiGe薄膜的方法有多种,其中CVD法的利用较为常见。SiGe薄膜的成长过程非常复杂,与多个因素相干,如温度、压强、气源、流量等,很多（文章此处忽略..）研究者都对其成长过程及成长能源学进行了研究,获得了不少成果。本文重要介绍了硅基应变、弛豫材料的成长机理、成长方法、成长能源学研究方面的研究。采取了RPCVD成长技巧,所采取的气源为SiH_4、SiH_2Cl_2、GeH_4跟H_2。（文章此处忽略..）成长温度分辨为625℃、900℃,通过流量及温度的改变来得到不同的淀积速率。根据Grove实际以及菲克第一实际,本文首次提出并树破了实用于硅基应变及弛豫薄膜材料的CVD成长能源学模型。与以前锗硅/硅异质结材料成长能源学模型仅考虑名义反（略..）应把持不同,本文同时考虑了名义反应跟气相传输两种把持机制,给出了两种把持机制极限情况下的模型,该模型不仅实用于低温锗硅/硅应变异质结材料成长的表征,也实用于表征高温锗硅/硅弛豫异质结材料成长的表征。最后,将模型打算值与实验（略..）值进行了对比,不管是低温(625℃)还是在高温(900℃)下,都与实验值合乎得较好。该模型构造简洁、物理意思清楚,适于不同气源体系的高温跟低温下的应变与弛豫SiGe材料RPCVD成长能源学的描述。

以上为本篇毕业论文范文硅基应变与弛豫材料的CVD成长能源学模型研究的介绍部分。

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