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Bi_2Te_3/CoSb_3宽温域热电材料界面热稳定性及其器件集成

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毕业论文范文题目:Bi_2Te_3/CoSb_3宽温域热电材料界面热稳定性及其器件集成,论文范文关键词:Bi_2Te_3/CoSb_3宽温域热电材料界面热稳定性及其器件集成
Bi_2Te_3/CoSb_3宽温域热电材料界面热稳定性及其器件集成毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:宽温域热电材料是将不同温区的热电材料连接起来,使各段材料工作在各自的最佳温度区间,由此提高热电转换效率。本文以碲化铋单相均质材料(BT)和填充方钴矿单相均质材料(FS)构成的宽温域热电材料出发,研究了n型和p型BT/FS宽温域热电材料中BT/FS体积比为(3:7、5:5、7:3)的过渡层界面在恒温热处理条件下的界面热稳定性,重点研究了热处理时间对界面物相组成、显微结构、化学成分、力学性能(此处忽略..)和电性能的影响。在此基础上,研究了高温陶瓷支撑框、Mo50Cu50合金粉的制备以及BT/FS宽温域热电器件的集成技术。n型BT/FS宽温域热电材料在573K下恒温热处理的界面热稳定性研究表明:随着热处理时间增加,界面显微结构并未发生明显变化,物相稳定;FS材料界面处Te元素和Bi元素向FS材料扩散略有增加,过渡层Se、Sb、Te元素的扩散明显增加,BT材料界面处各元素的扩散无明(此处忽略..)显变化;界面室温电阻率逐渐降低,热处理10天后界面室温电阻率由4.23mΩ·mm降到3.44mΩ·mm,降低了18.7%;界面抗折强度逐渐降低,热处理10天后BT/FS宽温域材料界面的抗折强度由42.87MPa降低至28.1MPa,降低了34.45%。p型BT/FS宽温域热电材料在573K下恒温热处理的界面热稳定性研究表明:随着热处理时间增加,界面孔洞增多,未出现明显裂纹,物相稳定;Sb元素向BT材料扩散增加,其它元素扩(此处忽略..)散无明显变化;界面电阻率先稍有降低然后增大,热处理10天后界面室温电阻率由13.14mΩ·mm增大到31.98mΩ·mm,增加了143.4%;界面抗折强度逐渐降低,热处理10天后BT/FS宽温域材料界面的抗折强度由30.23MPa降低至18.94MPa,降低了37.3%。以煅烧高岭土、苏州土、钾长石、方解石为原料,在900℃下制备了宽温域热电器件用高温陶瓷支撑框,陶瓷框的最佳烧成时间为8小时,抗折强度为3.7MPa。采用机械球磨法制(此处忽略..)备了Mo50Cu50合金粉末,最佳球磨时间为12小时,获得的粉体为金属Mo和Cu的混合物,粒径在0.12-50μm之间,平均粒径约为10μm。采用高温陶瓷框和热电元件集成了BT/FS宽温域热电模块。


以上为本篇毕业论文范文Bi_2Te_3/CoSb_3宽温域热电材料界面热稳定性及其器件集成的介绍部分。
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