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C_(60)肖特基二极管的结构修饰及特性研究

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毕业论文范文题目:C_(60)肖特基二极管的结构修饰及特性研究,论文范文关键词:C_(60)肖特基二极管的结构修饰及特性研究
C_(60)肖特基二极管的结构修饰及特性研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:液晶显示(LCD:LiquidCrystalDisplay)器件是众多平板显示器件中发展最成熟、应用面最广、已经产业化并且仍在迅猛发展的一种显示器件。目前液晶显示的主流是有源矩阵液晶显示(AM-LCD:ActiveMatrixLiquidCrystalDisplay)。液晶知识涉及多门学科,如化学、电子学、光学、材料学、色度学等。目前在AM-LCD的有源矩阵中采用TFT三端子器(略..)件作为开关元件。但是由于二端子器件的制作工艺比TFT简单得多,故而可能在将来代替TFT而成为AM-LCD中的主流有源器件。本论文研究由金属与C_(60)富勒烯材料形成的肖特基势垒接触二极管。论文的工作集中在研究此二极管的理论基础、制作工艺和电学特性。在论文的最后,采用C_(60)二极管构成Lechner有源矩阵模式并对其进行了仿真,研究了其特性,期望能够采用此二极管构成Lechner二(本文此处忽略..)端子AM-LCD,从而大大降低AM-LCD的生产成本。论文的主要内容为:1.研究了C_(60)薄膜与Al和Cu薄膜相接触的界面作用,对Al/C_(60)及Cu/C_(60)薄膜进行了扫描电子显微镜(SEM)及X射线衍射(XRD)分析,并对Cu/C_(60)/Cu结构作了电特性分析。2.探索出制作Al/C_(60)/Cu肖特基二极管的工艺流程。经多次实验得出:在制作二极管的工艺流程中,材料的淀积顺序是最为关键的一个因素,它(略..)决定着整个实验的成功与否。3.制成了Al/C_(60)/Cu结构的肖特基势垒二极管并对其电学特性做了研究。研究发现,未经修饰的Al/C_(60)/Cu结构在偏压±2V时的开关比为30,而经过氧化过程对其结构进行修饰后,所形成的Al/AlOx/C_(60)/Cu结构在偏压±2V时开关比为100。4.探索出提高C_(60)二极管性能的一个重要方法——成膜以后的氧化。通过对氧化步骤的研究发现:在相同条件下,经过氧化的C_(60)二极(文章此处忽略..)管的开关比明显高于未经氧化的C_(60)二极管。由此得出,在此二极管的制作工艺中,AlOx的形成起着关键的作用。5.研究了退火对二极管性能的影响。实验表明,刚淀积好的二极管,其整流效应并不理想,在真空中经退火处理后,其性能得到增强。


以上为本篇毕业论文范文C_(60)肖特基二极管的结构修饰及特性研究的介绍部分。
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