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半导体芯片贴装用低温烧结型银基浆料的研制及性能的研究

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毕业论文范文题目:半导体芯片贴装用低温烧结型银基浆料的研制及性能的研究,论文范文关键词:半导体芯片贴装用低温烧结型银基浆料的研制及性能的研究
半导体芯片贴装用低温烧结型银基浆料的研制及性能的研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:为满足半导体集成电路组装工艺朝大功率、小型化、轻量化、高密度组装化、低成本、高性能和高可靠性的方向发展,本论文选择具有高导电、高导热、低热膨胀系数的新型电子贴装材料——低温烧结型银基浆料作为研究对象,采用化学法制备了超细银粉,解决了导电相、粘结相和有机载体相整体成分配方设计与优化问题,研制了低温烧结型银基浆料,研究了各相对浆料导电率、热膨胀,热导率等性能的影响,并通过清洗—干燥—低温烧结等工艺对半导体芯片进行组装应用,利用Micro-Plus激光粒度分(文章此处忽略..)析仪、差示扫描仪(DSC)、扫描电子显微镜、HA-10内引线拉力芯片剪切力应力测试仪,分析了浆料的显微组织、物理性能以及芯片组装后及热循环后的附着力,其主要研究结果如下:(1)随着银粉重量百分比含量的增加,烧结膜的方阻明显减小,当银粉重量百分比含量达到75%以上时,可显著减小方阻值,当银粉含量占固体粉末的85%,方阻值最优值为4.2×10~(-1)mΩ/□;此外,随着银粉含量的增加,片状银粉和球状银粉搭配使用,可改善浆料烧结后银膜的致密性。(2)随着玻璃粉含量的增加,烧结体的热膨胀系数和热导率均为(本文此处忽略..)下降趋势,但组装芯片附着力随着玻璃粉含量的增加而增大,当玻璃粉含量占固体粉末的30%时,热膨胀系数为15.2×10~(-6)/℃,热导率为182W/m·K,剪切力为29.4N以上,综合性能较佳。(3)低温烧结型银基浆料宜使用卵磷脂作为表面活性剂,用量占有机载体重量百分含量的1.5%,干膜烧结性能更佳;采用松油醇和邻苯二甲酸二丁酯的混合溶剂能获得较好的流平性;在满足实验的涂覆工艺前提下,有机载体占浆料的20%的可获得最佳剪切力37.93N。(4)为了获得较好的粘贴性能,设定烧结升温曲线的斜率为2℃/min。升温曲线设定由(略..)室温升至150℃,保温30min,再升至300℃,保温30min,最后升至峰值烧结温度为430℃,保温25-30min。(5)随着有机载体质量分数的增加,浆料烧结膜的空洞率逐渐增大。采用双组分溶剂的有机载体制成的浆料的烧结膜的空洞率明显小于单一组分的溶剂制成的浆料。空洞率由80%左右降低到50%左右,通过X射线照片的分析,可以看出柠檬酸三丁酯和松油醇的组合效果好于邻苯二甲酸二丁酯与松油醇的组合。(6)高能球磨法可以有效地细化玻璃粉,使粉末的平均粒径从20μm细化到3.5μm,但有一定的细化极限,16h以后细化效果不明显,(略..)最佳球磨时间为24小时。高能球磨对玻璃粉颗粒的形貌有一些影响,使其从不规则的较大的块状变为较小的椭圆形颗粒。随着玻璃粉球磨时间的增加,相应的制成的浆料的致密性逐渐增加,浆料烧结膜的孔洞逐渐减少。当玻璃粉的球磨时间为24小时所制成的浆料的致密性最好,孔洞率几乎为零。


以上为本篇毕业论文范文半导体芯片贴装用低温烧结型银基浆料的研制及性能的研究的介绍部分。
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