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铑硅混淆团簇多少何构型及电子构造性质的实际研究

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毕业论文范文题目:铑硅混淆团簇多少何构型及电子构造性质的实际研究,论文范文关键词:铑硅混淆团簇多少何构型及电子构造性质的实际研究
铑硅混淆团簇多少何构型及电子构造性质的实际研究毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:过渡金属掺杂的硅基团簇作为一种半导体材料的基元,在微电子技巧利用跟新材料设计范畴中占领着极为重要的地位。本论文重要应用密度泛函方法对第八族4d过渡金属铑掺杂的硅基混淆团簇进行了体系的实际研究,一方面研究了中性RhSi_n(n=1-6)团簇的多少何与电子构造性质,另一方面研究了RhSi_n~+跟RhSi_n~-离子团簇的电子构造跟激发态性质。咱们在(U)B3LYP/LanL2DZ程度上,对RhSi_n(n=1-6)团簇的各种多少何构型进(本文此处忽略..)行了优化,得到了该团簇一系列牢固的多少何跟电子构造,并在此基本上探讨了绝对最牢固构造的均匀束缚能、决裂能、天然布居、HOMO-LUMO能隙、局域磁性。成果表明,RhSi_n(n=1-6)团簇的绝对最牢固构造都基本上保持了Si_(n+1)团簇基态构型的框架,这是因为Si-Si键彼此作用比Rh-Si键彼此作用强的成果。通过打算最牢固构型的束缚能跟决裂能,研究了RhSi_n(n=1-6)团簇的绝对牢固性,发明RhSi_3是其中热力学构造绝(略..)对最牢固的团簇。分析RhSi_n(n=1-6)团簇的天然布居,可知电子重要从Si原子的3s轨道跟Rh原子的5s轨道向Rh原子的4d轨道转移。RhSi_n(n=1-6)团簇的磁性重要来源于Rh原子的4d轨道的奉献。RhSi_3团簇的HOMO-LUMO能隙绝对其它团簇最大(2.075eV),表明它的化学牢固性较强,这与它的热力学牢固性最强的成果正好吻合。为了便于实验上的成果比拟较,咱们同样在(U)B3LYP/LanL2DZ程度上对RhSi_n~+跟RhSi_(此处忽略..)n~-团簇的构造跟电子性质进行了研究。与中性的RhSi_n团簇比较,大部分的RhSi_n~+跟RhSi_n~-团簇都基本保持了其原有的构造框架。RhSi_4~+团簇构造变更绝对较大,从中性畸变的四棱锥构造变成“铲子状”构造,这与RhSi_4~+团簇的绝热电离能(AIP)跟垂直电离能(VIP)差值最大的成果相吻合。RhSi_2~-团簇构造键角增大较多,这与RhSi_2~-团簇的绝热亲跟能(AEA)跟垂直亲跟能(VEA)差值绝对其它团簇(本文此处忽略..)最大的成果是一致的。均匀束缚能研究表明,除了RhSi_3~+团簇,所有RhSi_n~+跟RhSi_n~-团簇的均匀束缚能都高于与其相应的中性团簇。决裂能研究发明,象在中性RhSi_n团簇中RhSi_3最牢固一样,RhSi_3~+,RhSi_3~-也分辨是RhSi_n~+跟RhSi_n~-


以上为本篇毕业论文范文铑硅混淆团簇多少何构型及电子构造性质的实际研究的介绍部分。
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