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CMOS二氧化锡气体传感器跟体系电路的设计

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毕业论文范文题目:CMOS二氧化锡气体传感器跟体系电路的设计,论文范文关键词:CMOS二氧化锡气体传感器跟体系电路的设计
CMOS二氧化锡气体传感器跟体系电路的设计毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:二氧化锡气体传感器是利用二氧化锡半导体名义对气体分子(原子)的物理吸附跟化学吸附原理设计的一种检测气体浓度的化学器件,这种传感器存在很广的气体监测范畴,可能对氧化性气体(氧气、水气、乙醇)也可对还原性气体(氢气、一氧化碳、硫化氢)进行检测,因此它在化工、化学、环境保护以及生物医疗方面都有广阔的前景。然而传统的气体传感器是以陶瓷为基底,结合丝网烧结方法制造的,造成了(此处忽略..)器件的本钱昂贵,不能批量出产,降落了传感器的实用性;跟着硅技巧的疾速发展,利用与标准CMOS兼容的制造技巧来实现SnO_2gassensor是目前研究的热点,其长处是将传感器部分跟信号处理电路集成在同一个芯片上,实现了体系的集成,从而降落了本钱,减少了外界信号对器件的烦扰,进步了器件对气体的灵敏性跟坚固性,减少了全部体系的芯片尺寸。打算机帮助设计(CAD)作(文章此处忽略..)为一个强有力的设计工具在集成电路设计跟模仿分析中发挥了很重要的作用,可能用Candence中的Hspice模仿软件对器件跟信号电路进行模仿仿真分析,用Ansys软件对气体传感器器件模型进行物理模仿分析,从而构成体系的集成;目前对sensor的Hspice仿真跟参数提取仍然难于实现。本文从二氧化锡半导体的名义吸附基本原理出发,通过ANSYS对器件的物理仿(此处忽略..)真模仿断定器件的构造跟设计的参数,并且结合CMOS工艺对多种电阻材料(poly、n~+扩散层、P~+扩散层、n阱)的特点进行实验分析,抉择出传感器所须要的加热电阻;在POST-CMOS工艺中比较各种刻蚀液抉择出合适本设计的腐化剂跟器件的其它各层;最后对信号电路进行设计,包含信号抉择电路(Decoder)跟放大电路,给出相干设计的参数跟仿真成果,并且给出设计的其(本文此处忽略..)它放大电路的电路图。在工艺上,咱们制造SnO_2gassensorandcircuit采取TSMC0.6μm1P3MCMOS工艺,而后再用POST-CMOS进行器件的后刻跟溅镀二氧化锡薄膜,实现全部体系的制造。本设计实现了标准CMOS制造SnO_2gassensorandcircuit的体系的全部芯片设计,并且送交换片。


以上为本篇毕业论文范文CMOS二氧化锡气体传感器跟体系电路的设计的介绍部分。
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