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亚微米MOS器件的可制造性优化与设计

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毕业论文范文题目：亚微米MOS器件的可制造性优化与设计，论文范文关键词：亚微米MOS器件的可制造性优化与设计
亚微米MOS器件的可制造性优化与设计毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：跟着集成电路特点尺寸进入小尺寸量级,TCAD设计阶段中的参数提取及优化工作显得更为重要。同时,因为工艺打搅的存在,导致器件的制造值与设计值之间存在偏差,因此,集成电路虚构制造技巧跟可制造性设计技巧已成为IC研发跟工艺级及器件物理特点级分析的重要技巧手段。课题根据我国集成电路产业的发展示状,结合TCAD一体化设计与优化的技巧须要,以集成电路虚构制造技巧跟可（本文此处忽略..）制造性设计技巧为领导,旨在摸索亚微米品位下的工艺级跟器件物理特点级仿真与优化的最佳技巧道路。首先,本课题探讨了阈值电压的短沟/窄沟效应、穿通效应跟热载流子效应(HCE)等诸多小尺寸效应;其次,在总结亚微米MOS器件工艺与构造特点的基本上,重点通过实验分析,量化研究了衬底掺杂浓度、衬底偏压跟沟道注入前提对阈值电压的影响,并对阈值电压进行了优化设计;探讨了进步器（略..）件穿通电压的有效办法及抑穿通离子注入前提对各器件特点参数的影响;具体分析了轻掺杂漏区的浓度跟深度与沟道电场跟亚阈斜率等器件特点间的关联,并以衬底电流为标准反应了LDD构造对HCE的克制造用。最后,本课题在集成电路虚构制造体系TaurusWorkBench下,以调阈值离子注入能量、剂量;抑穿通离子注入能量、剂量跟轻掺杂漏注入剂量为把持因素,阈值电压、源衬/（略..）漏衬结击穿电压及漏饱跟电流为响应,在对亚微米MOS器件进行工艺级跟器件级模仿的基本上,采取实验设计、响应名义建模及优化方法,得到各工艺参量的最佳取值及可制造性设计打算。以上述各项研究为基本,得到了最佳非均匀沟道掺杂所对应的工艺前提:低能量、高剂量的调阈值注入,高能量、低剂量的抑穿通注入。给出了进步穿通电压的三种可行性打算:1.增加高能量的抑穿通注入过程;2.（本文此处忽略..）采取LDD构造:3.在容许的范畴内,恰当增加器件的沟道长度。最后,得出了LDD区的最佳构造特点应满意的前提是:轻掺杂、浅结;同时,因为LDD区结深变更余地较小,重要通过对LDD区掺杂浓度的调剂实现对HCE的克制。本课题对亚微米MOS器件工艺、器件物理特点跟可制造性设计与优化进行了深刻探讨,为深亚微米品位的SOC一体化仿真与优化研究打下基本。

以上为本篇毕业论文范文亚微米MOS器件的可制造性优化与设计的介绍部分。

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