SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿

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SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿

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毕业论文范文题目：SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿，论文范文关键词：SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿
SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：电容耦合等离子体(capacitivelycoupledplasmaCCP)因其可能产生大面积等离子体,安装简单,轻易把持,已广泛利用于薄膜沉积与等离子体刻蚀；等离子体加强化学气相沉积(plasmaenhancedchemicalvapourdepositionPECVD)技巧是借助于辉光放电等离子体使含有薄膜组份的气态物质产生化学反应,从而实现薄膜材料成长的一种制备技巧。在新兴的光伏产业中,硅基薄膜表演着举足轻重的角色,特别是综合了SiO2膜跟Si3N4膜的长处的氮氧化硅(siliconoxynitrideSiOxNy)薄膜存在（本文此处忽略..）优良的光学机能,力学机能,化学牢固性及低的应力,已成功应用于光电范畴,并且作为太阳能电池的减反射膜,可能有效进步太阳能电池的利用率。所以,氮氧化硅薄膜有着广阔的利用前景,对其放电研究存在重要的意思。然而在持续放电的前提下,产生较高的离子能量会对基片造成伤害,并且在这种前提下生成的薄膜光电机能较差。与此比拟,脉冲调制放电的参数调节更加机动,可能获得高品质的沉积膜。对硅烷特别是脉冲射频等离子体放电,因为混淆气体放电的化学组分及反应过程的复杂性,仍须要进行深刻的描述跟研究。本文采取方波对射频电压进行了脉冲调制,采取流膂（文章此处忽略..）力学模型对SiH4/N2/O2混淆气体的容性耦合等离子体进行了数值模仿。第一章跟第二章分辨介绍了本文研究的相干背景常识跟所采取的一维流膂力学模型,并对打算顶用到的相干参数进行了具体概括。第三章侧重探讨了脉冲放电参数对容性耦合等离子体SiH4/N2/O2放电特点的影响。成果表明等离子体参数受占空比跟调制频率的影响很大。雷同的沉积功率密度下,放电核心的电子密度与占空比成反比,脉冲放电下的等离子体密度更高；雷同的射频电压下，电子密度则与占空比成正比,与调制频率成反比。电子温度的周期性变更则因占空比跟调制频率的不同产生了明显的变更,（略..）在较小的占空比或调制频率下,电子温度变更比较激烈,脉冲开启的霎时就会增加至最大值。脉冲调制放电下,等离子体区内的电负性多少乎保持不变,然而在鞘层边界的变更比较大。在电源封闭时,较低的电子温度使得负离子从等离子体区逃离,造成了下极板处的电负性增大。此外,在雷同的沉积功率密度下,减小占空比跟调制频率都可能获得较低的离子轰击能量,减少对基片的丧失。与此同时,正离子的密度跟均匀速度、均匀通量的改变进一步调节了沉积功率密度,使得薄膜的沉积过程更加机动可变。在雷同的占空比跟调制频率的基本上,研究了其余的放电参数如气压、极板宽（此处忽略..）度跟射频电压幅值等同离子体各宏观物理量的影响。进步电压幅值,增加气体压强或者增加极板宽度均能有效地进步等离子体的密度。极板核心处电子温度的周期性变更受气压跟极板宽度的影响很小。加大气压或者增大极板间距,会促进各粒子之间的碰撞,造成离子能量的减少,然而进步射频电压可能为离子提供更多的能量。以上模仿成果表明,在脉冲调制放电中,通过改变占空比跟调制频率,以及其它放电参数,可能获得高密度的等离子体,并能进步沉积功率密度,有效地降落离子能量,从而降落离子轰击对基片的伤害,进步沉积薄膜的品质。

以上为本篇毕业论文范文SiH_4/N_2/O_2脉冲调制射频放电的流膂力学模仿的介绍部分。

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