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硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进

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毕业论文范文题目：硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进，论文范文关键词：硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进
硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：硒化镉(CdSe)晶体是一种新型,性能优异的室温化合物半导体核辐射探测器材料,其电阻率高(约10~9Ω/cm)、原子序数大(48,34),禁带宽度宽,物理化学性质稳定,在室温下对x-射线、γ-射线有良好的能量分辨率,可广泛应用于探矿、无损检测、核医学、环境监测、军事和空间宇航技术等领域。同时,它（本文此处忽略..）还被作为一种新型的红外非线形光学材料,以及太阳电池材料等。目前,由于合成多晶原料时引入的杂质,生长晶体时化学计量比的偏离以及生长界面的不稳定等问题,使得制备具有高纯度、高完整性、高电阻率的CdSe单晶体非常困难。而高生长缺陷的晶体,将导致探测器件载流子的收集率低,能量分（本文此处忽略..）辨率差,甚至失效。在本实验中,首先,我们从热力学原理出发,计算了硒化镉(CdSe)合成反应的反应焓变,反应熵变,Gibbs自由能,分析了配料的化学计量比,从热力学角度论证了在中温(～650℃)下直接液相合成高纯CdSe的可能性,选择了合理的合成工艺参数,进行了多种Cd、Se配比的Cd（此处忽略..）Se液相合成的实验,通过X射线粉末衍射法对合成产物进行了分析表明得到了高纯CdSe多晶,证实了热力学分析的正确性。另外,在CdSe晶体的光学性能测试中还发现,用这种合成原料与化学合成料生长的晶体相比,在中红外波段538cm-1处没有吸收峰。分析表明,中温液相合成的CdSe原料能（此处忽略..）有效地减小原料中的杂质含量,提高了生长晶体的品质。其次,依据相平衡原理和稳定界面生长模型,确定了生长符合化学计量比的CdSe单晶体的最佳温度及以稳定界面(平界面)生长所需的晶体生长速度。参照研究结果,对气相法生长

以上为本篇毕业论文范文硒化镉多晶合成与单晶生长工艺的改进的介绍部分。

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