IGBT的仿真设计

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毕业论文范文题目： IGBT的仿真设计，论文范文关键词： IGBT的仿真设计
IGBT的仿真设计毕业论文范文介绍开始：
　　毕业论文 IGBT的仿真设计，说明书共55页，12396字。
　　摘要
　　绝缘栅双极型晶体管（IGBT)是具有高的输入阻抗、较低的通态压降，能够处理较大的电流的功率半导体器件。本文首先介绍了IGBT的发展、IGBT的结构、工作特性和主要参数等。并且对IGBT的参数进行了分析,初步估计出IGBT的参数。先使用Athena软件进行工艺仿真出器件的结构，然后用atlas软件进行器件仿真，验证设计，最终实现电流为100A 电压为1000V的IGBT。论文还用TANNER软件画出IGBT的原胞版图。
　　关键词：绝缘栅双极型晶体管功率半导体器件电力电子
　　
　　目录
　　摘要 III
　　第一章绪论 1
　　1.1功率半导体器件的发展 [1] 1
　　1.2 IGBT的诞生和发展 2
　　1.3 IGBT的应用 2
　　第二章 IGBT的结构、工作特性和主要参数 3
　　2.1 IGBT的结构 3
　　2.2工作原理 4
　　2.3 IGBT的特性 5
　　2.3.1 IGBT的静态特性 5
　　2.3.2 IGBT动态特性 7
　　2.4 IGBT的设计理论 8
　　2.4.1 IGBT的结构设计理论 8
　　2.4.2 IGBT的闩锁效应 9
　　2.4.3 器件设计的主要性能影响因素 9
　　第三章 IGBT的设计 12
　　3.1外延层的计算 12
　　3.1.1 IGBT的击穿机理 12
　　3.2 栅氧化层的计算 14
　　3.3 P阱的设计 14
　　3.4阴极N阱（NSD）的设计 15
　　3.5饱和电流的计算[6] 15
　　第四章IGBT的工艺仿真 16
　　4.1工艺参数 16
　　4.2 使用Athena软件设计工艺流程 16
　　4.2.1 定义网格 16
　　4.2.2 外延缓冲层 17
　　4.2.3 外延N-外延层 18
　　4.2.4 在外延层上生长一层栅氧化层和多晶硅 19
　　5.2.5 离子注入P-base、N+发射极 20
　　4.2.6 淀积AL、刻蚀掉不需要的部分 22
　　4.2.7定义电极 23
　　第五章器件的特性分析 26
　　5.1 分析器件的参数对阈值电压的影响 26
　　5.2 IGBT输出特性曲线的仿真 31
　　5.3 IGBT极的击穿特性的仿真 33
　　第六章 IGBT 版图的设计 36
　　6.1 版图参数的计算 36
　　6.2版图的设计流程 37
　　总结 40
　　参考文献 41
　　致谢 42
　　附录 43
　　附录1：使用Athena软件设计IGBT 43
　　附录2：使用ATLAS设计IGBT,并且测试出栅压为10V的器件的输出特性曲线。 44
　　附录3：使用ATLAS测试IGBT的击穿电压 46
　　附录4：使用ATLAS测试IGBT的阈值电压 47
　　附录5：使用ATHENA软件仿真P阱的注入N+发射区的注入 48

以上为本篇毕业论文范文 IGBT的仿真设计的介绍部分。

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