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砷化镓异质结跟高电子迁徙率晶体管工艺器件的良品率改良

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毕业论文范文题目:砷化镓异质结跟高电子迁徙率晶体管工艺器件的良品率改良,论文范文关键词:砷化镓异质结跟高电子迁徙率晶体管工艺器件的良品率改良
砷化镓异质结跟高电子迁徙率晶体管工艺器件的良品率改良毕业论文范文介绍开始:
【论文摘要】:砷化镓微波单片集成电路(GaAsMMIC)是利用于高频、高速、高功率环境下的集成电路,它的重要制造工艺有:异质结双极型晶体管(HBT)、应变式高电子迁徙率晶体管(pHEMT)跟金属半导体场效应晶体管(MESFET)。GaAs材料跟GaAs器件在高频高端范畴有硅工艺难以超出的机能上风跟利用价值。然而GaAs材料特别的物理化学特点跟其不同于硅的制造工艺,使GaAs器件的研发本钱跟制造本钱昂扬,且工艺(略..)的反复性、一致性较差,良品率偏低。本论文破足于工程出产实际案例,通过对低良品率GaAs产品进行工艺数据分析跟生效分析来发明不良品的生效起因跟缺点构成的机理从而提出改良打算,在把产品从工程阶段推向量产的同时实现高品德低本钱,并且从研究中总结教训促进对这种进步制造工艺的意识跟懂得。论文研究聚焦于两部分主题,pHEMT单刀九掷开关器件(SP9T)因漏电导致的低良率问题跟HBT器件中背孔、通孔(略..)接触不良的分析。第一个开关器件的案例,从成品测试看到的接收端功能异样的景象入手,根据各个可能造成生效的起因从封装.工艺开端分析,基于对关键的打线工艺制订四组前提正交实验的评估成果,首先打消了封装导致缺点的可能,转而将焦点汇聚至芯片的生效分析。通过对微光显微镜(EMMI)、直流(DC)通断测试、激光扫描显微镜(OBIRCH)、聚焦离子束(FIB)等分析手段的应用,找到了漏电道路定位了生效点,经过深(文章此处忽略..)刻分析后.明白了因为GaAs工艺不进行化学机械平坦化处理(CMP)而造成金属蒸镀工艺才能不足构成缺点的机理,同时从优化设计的角度思考,版图中三导线平行交叠的布线也是生效的诱因之一。解决打算以订正设计规矩、修改版图来彻底改良产品良率并成功量产。第二个通孔案例,因为GaAs工艺中利用的金属是难以刻蚀的纯金,所以金属图形的制造须要通过剥离工艺(Lift-off)来实现。因为Lift-off本身(略..)的工艺原理使金属层浮现上窄下宽的形貌,另一方面,通孔的设计尺寸及与它相邻的大面积开窗之间的间隔,这些因素就会挑衅刻蚀工艺诱发通孔接触不良。通过对这个案例的研究使流片厂树破了通孔尺寸与间距的束缚关联,并通过两次曝光通孔的方法改良既有产品的良品率。以上对缺点产品的改良不仅晋升了良品率,还从工艺跟设计的角度两方面完美了产品的品德。


以上为本篇毕业论文范文砷化镓异质结跟高电子迁徙率晶体管工艺器件的良品率改良的介绍部分。
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