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IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(二)

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毕业论文范文题目:IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(二),论文范文关键词:IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(二)
IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进(二)毕业论文范文介绍开始:
关断大电流时所引起的过电压。慢关断过程时间为t3,由C2和R12决定。由IXDN404工作电压范围为4.5~25V,τ2=R12×C2=4.84μs,可知
 t3=τ2ln(15/4.5)=5.83μs    (3)
 另外,在IGBT开通过程中,如果二极管D2不能及时导通,将造成保护电路的误动作,因此D2要选择快速二极管,也可通过适当增加Z1稳压值和增大电阻R9以增大C1充电时间常数延长保护电路动作时间。但这与保护动作的快速性相矛盾,具体应用时要根据实际电路要求和功率器件的特性作出折中的选择。    2.4 几点说明
 1)为使驱动功率达到最大,本电路将两路输入输出并联使用,最大驱动峰值电流可达8A,这个峰值电流是由电容Cc瞬间放电产生;
 2)光耦6N137输出为输入反相,IXDN404为同相输入输出,为保证控制逻辑正确,中间需加一级反相器,也可采用带反相的IXDI404;
 3)图2中可在E点处加入一个光耦,其输出可作为短路保护信号送给控制逻辑,以封锁本路及其它各路的PWM信号,确保主电路安全;
 4)IXDN404驱动电路对脉冲信号非常敏感,实际操作时要保证连线尽量短,输出要用双绞线接IGBT,电路所用元器件也可采用贴片式,既缩小驱动电路体积,也提高了工作稳定度。
 图3为实测IGBT的门极驱动信号,其中通道1为输入控制信号,通道2为输出驱动信号。所用IGBT为仙童公司HGTG18N120BND。从图中可以看出驱动电路延迟时间仅为100ns。其中图3(d)为模拟IGBT过流时的保护波形,首先降栅压运行,然后慢关断,最后由于低电压供电,IXDN404输出驱动电压封锁在-2V左右。3 结语
 由IXDN404组成的IGBT驱动与保护电路可满足IGBT驱动要求,其特点可归纳如下:
 --驱动电源+20V单路供电,驱动栅压+15V~-5V;
 --最大驱动峰值电流可达8A,满足大功率IGBT驱动要求;
 --电路信号延迟时间短,工作频率可以达到100kHz或者更高,可适应大多数电路需要;
 --可实现过流保护及降栅压慢关断功能;
 --电路成本相对较低。
 综上所述,这种驱动保护电路是一种低成本、高性能的IGBT驱动电路。

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