正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制

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正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制

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毕业论文范文题目：正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制，论文范文关键词：正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制
正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：量子阱红外探测器(QWIP)在国防、产业、医疗等方面存在广泛的利用前景。受量子力学跃迁抉择定则的限度,传统n型量子阱红外探测器对正入射光的接收是禁戒的,须要制造复杂的光栅耦合正入射光。而p型QWIP存在能对正入射光响应的特点,且存在更低的暗电流,引起人们的广泛关注。其中,p型SiGe/SiQWIP与硅（此处忽略..）微电子工艺兼容,可直接制造在硅读出电路上,易于实现光电器件的单片集成。因此,p型SiGe/SiQWIP的研究存在诱人的前景。本论文重要发展了以下多少个方面的工作:(1)采取6×6k·p方法打算应变SiGe/Si量子阱的价带能带构造。分析空穴子带能级随阱宽跟Ge组分的变更法则,探讨基于束缚态到准束缚态子带跃迁（略..）型(B-QB)应变SiGe/SiQWIP能带构造的优化设计。首次提出一种p型张应变SiGe/SiQWIP构造,实际打算表明量子阱中引入张应变使轻、重空穴反转,基态为有效品质较小的轻空穴态;与p型压应变QWIP比拟光接收跟载流子输运特点有望获得较好改良。这些研究工作为p型SiGe/SiQWIP的机能优化（本文此处忽略..）跟材料成长提供了实际基本。(2)利用双成长室超高真空化学气相淀积体系(DC-UHV/CVD)研究SiGe外延工艺,通过优化成长前提,成功外延了品质较好的SiGe/SiQWIP探测器材料。测试并分析样品的低温傅里叶变换红外光谱,在3～6μm观测到明显的子带跃迁接收,峰值波长约为4μm是源于重空穴基态到持续态的跃迁接（略..）收。(3)具体研究SiGe/SiQWIP器件的制造工艺,摸索光刻、干法刻蚀跟湿法腐化等关键工艺前提,制备出SiGe/SiQWIP原型器件。器件室温光电流谱在1.08μm跟1.51μm附近测到明显的响应,可能是源于Si跟应变SiGe带间以及高掺杂引起的带尾间跃迁。

以上为本篇毕业论文范文正入射p型SiGe/Si量子阱红外探测器的研制的介绍部分。

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