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氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究

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毕业论文范文题目：氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究，论文范文关键词：氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究
氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究毕业论文范文介绍开始：
【论文摘要】：硅是半导体产业的基本材料。半导体产业中95%的材料都是采取硅制造的。传统硅材料重要是采取单晶硅。然而在光电子材料范畴,因为单晶硅是间接带隙材料。因此,其利用受到了很大的限度。为了充分利用丰富的硅资源与其成熟的工艺。人们采取各种方法对其材料进行改进。将硅制备成为低维材料或对其进行各种情势的掺杂,实现其特（文章此处忽略..）别的功能。本文利用等离子体加强化学气相沉积方法制备了氢化纳米硅薄膜。薄膜中的晶粒大小约为多少个纳米。其晶态比约为50%。其晶粒之间的界面成分对薄膜的物感性质有侧重要的影响。本论文重要探讨氢化纳米硅薄膜的制备工艺,掺磷纳米硅薄膜的显微力学性质与接触电学性质,以及一种掺氢超原胞的能带构造。研究发明利用PE（此处忽略..）CVD方法制备氢化纳米硅薄膜,即便在氢气与硅烷比例极高的情况下,生成硅基薄膜的化学反应仍然是阔别化学均衡的。因此,在成长纳米硅薄膜时必须保持高的氢气硅烷比例,以保障纳米晶粒的构成,这样必定导致氢气的大量挥霍跟较低的薄膜成长效力,为此对现有工艺有必要进行改进。利用纳米力学测试体系测试了掺磷纳米硅薄（本文此处忽略..）膜的显微力学特点,发明掺磷纳米硅薄膜的均匀显微硬度为5GPa,其弹性模量跟着深度的增加始终增大,这与薄膜中氢含量随深度的增加而减少有关。电学性质的测试显示,与薄膜宏观电阻均匀的特点不同的是,薄膜的部分接触电阻浮现极不均匀的景象。咱们还提出了纳米硅薄膜超晶格量子阱模型探讨了在室温下观测到的Ⅰ-Ⅴ震动（本文此处忽略..）景象。最后,提出了一种掺氢硅原胞构造,这种构造可能使得硅从间接带隙改变成为直接带隙,对这种氢掺入硅材料中有序性的极其情况下的能带构造,分辨采取局域密度泛函实际跟紧束缚能带实际进行了打算,发明了掺氢硅材料有可能实现从间接带隙改变为直接带隙的物理起因,并提出了等效杂化的思维。

以上为本篇毕业论文范文氢化纳米硅薄膜力学及电学性质的研究的介绍部分。

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